SiO2 aplicat en circuits integrats
Tot i que el silici és un material semiconductor, SiO2 és un bon material aïllant i té propietats químiques extremadament estables, aquestes excel·lents característiques fan que tingui una àmplia gamma d’aplicacions en la fabricació d’IC. Es pot dir que no només el " silici " ens porta a l'edat del silici, sinó també els principals usos de SiO2. SiO2 en fabricació de CI es reflecteixen en els següents aspectes:
1. emmascarant impureses
La sílice actua com un agent emmascarador per a la difusió d’impureses. En la fabricació de CI, la difusió de boro, fòsfor i arsènic en pel·lícules de sílice és molt més lenta que la del silici. Per tant, el més habitual
el mètode usat per fabricar diverses regions de dispositius semiconductors (com ara les regions d’origen i drenatge dels transistors) és produir primer una capa de pel·lícula d’òxid SiO2 a la superfície de l’hòstia de silici, després de la fotolitografia i desenvolupament, i després gravar la pel·lícula d’òxid a la superfície. de la regió dopada, formant així una finestra de dopatge,
i finalment la impuresa selectiva per la finestra. El chi s’injecta a la zona corresponent.
2. òxid de porta
En el procés de fabricació de circuits integrats MOS / CMOS, el SiO2 s’utilitza normalment com a dielèctric de porta aïllant dels transistors MOS, és a dir, capa d’òxid d’entrada.
3. aïllament dielèctric
Els mètodes d'aïllament en la fabricació IC inclouen l'aïllament de la unió PN i l'aïllament dielèctric, en els quals l'aïllament dielèctric sol triar-se pel film d' òxid de SiO2 . Per exemple, l’oxigen de camp en el procés CMOS (utilitzat per aïllar transistors PMOS i NMOS) és una pel·lícula SiO2 usada per aïllar les regions actives dels transistors PMOS i NMOS.
4. medi aïllant
El diòxid de silici és un bon aïllant, de manera que per a una estructura de cablejat metàl·lic de diverses capes, s’utilitza com a medi aïllant entre les capes superiors i inferiors de metall, pot evitar un curtcircuit entre metalls.